ГТ329Б германієві планарні структури n-p-n підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 400 МГц.

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта

ГТ329Б

Транзистори ГТ329Б планарні германієві структури n-p-n підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 400 МГц.

Призначені для застосування у вхідних та наступних каскадах підсилювачів високої та надвисокої частот.

Використовуються для роботи у електронній апаратурі загального призначення.

Випускаються в металостеклянному корпусі з гнучкими смужковими виводами.

Тип приладу вказується на корпусі.

Маса транзистора трохи більше 1 р.

Кліматичне виконання: «УХЛ».

Категорія якості: ВТК.

Технічні умови: ЩТ3.365.057-2ТУ.

Гарантійний термін зберігання – не менше 10 років з моменту виготовлення.

Імпортний аналог: 2N5043.

Основні технічні характеристики транзистора ГТ329Б:

• Структура: n-p-n

• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 50 мВт;

• Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1700 МГц;

• Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 10 В;

• Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 0,5 В;

• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА;

• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА при 10 В;

• h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 15...300 при 5В, 5мА;

• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 2 пФ при 5В;

• Кш – коефіцієнт шуму транзистора: не більше 6 дБ на частоті 400 МГц;

• tк - Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 30 пс

Технические характеристики транзисторов ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
IЭБО
f гp.
КШ
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мкА
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С


ГТ329А
n-p-n
20
-
5
10
0,5
50
15…300
-
5
100
1200
4
2
3,5
-60…+60


ГТ329Б
n-p-n
20
-
5
10
0,5
50
15…300
-
5
100
1700
6
3
3,5
-60…+60


ГТ329В
n-p-n
20
-
5
10
1
50
15…300
-
5
100
1000
6
3
3,5
-60…+60


ГТ329Г
n-p-n
20
-
5
10
0,5
50
15…300
-
5
100
700
5
2
3,5
-60…+60

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.