Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту
ГТ313В
Транзистори ГТ313В німецькі дифузійно-сплавні структури p-n-p універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот і перемикальних пристроях.
Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзизора не більш ніж 2 г.
Технічні умови: РК3.365.162 ТУ.
Основні технічні характеристики транзизора ГТ313Б:
• Структура: p-n-p
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 100 мВт;
• Fгр — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схем із загальним імітером і загальною базою: не менш ніж 450 МГц;
• Uкбо — пробивна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 15 В;
• Uебо — пробивна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 0,7 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 5 мкА за 12 В;
• h21е — Коефіцієнт зворотного зв'язку за напругою транзизора в режимі малого сигналу для схем із загальним евітером і загальною базою відповідно: 10...75 за 5 В; 5мА;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 2,5 ПФ за 5 В;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 4,6 Ом;
• tк — Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більш ніж 40 пс
Технічні характеристики транзисторів ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В:
Тип
транзизора
Структура
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C
Значення параметрів за Тп = 25 °C
TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21Э
UКЭ
нас.
IКБО
f гp.
КШ
СК
СЭ
мА
мА
В
В
В
мВт
В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С
ГТ313А
p-n-p
30
-
15
15
0,7
100
10...230
0,7
5
300...1000
8
2,5
18
70
-40…+55
ГТ313Б
p-n-p
30
-
15
15
0,7
100
10...75
0,7
5
450...1000
8
2,5
14
70
-40…+55
ГТ313В
p-n-p
30
-
15
15
0,7
100
30...230
0,7
5
350...1000
8
2,5
14
70
-40…+55
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО - зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.