ГТ115А малопотужний германієвий сплавний транзистор PNP структури

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта

ГТ115А

маломощный германиевый сплавной транзистор

Тип

прибора
Структу-

-ра
PК max

P*К,тmax

P**К,иmax

мВт
fгр f*h21б f**h21э f***max МГц
UКБО U*КЭR U**КЭО В
UЭБО В
IK max I*K,иmax мА
I КБО I*КЭR I**КЭО мкА
h21э, h*21Э
Ск С*12э пФ
rКЭнас r*БЭнас Ом
Кш дб r*б Ом P**вых
τК пс t*рас t**выкл t***пк нс

Корпус





ГТ115А
p-n-p
50
≥1*
20
20
30
≤40
20-80
-
-
-
-



ГТ115Б
p-n-p
50
≥1*
30
20
30
≤40
20-80
-
-
-
-


ГТ115В
p-n-p
50
≥1*
20
20
30
≤40
60-150
-
-
-
-


ГТ115Г
p-n-p
50
≥1*
30
20
30
≤40
60-150
-
-
-
-


ГТ115Д
p-n-p
50
≥1*
20
20
30
≤40
125-250
-
-
-
-

PК max- максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора

P*К,т max- постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом

P**К,и max- максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора

fгр - граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером

f*h21б - предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общей базой

f**h21э -предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером

f***max -максимальная частота генерации

UКБО - пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера

U*КЭR - пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер

U**КЭО - пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы

UЭБО - пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора

IK max - максимально допустимый постоянный ток коллектора

I* K,и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора

I КБО - обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

I*КЭR - обратный ток коллектор - эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер

I**КЭО - обратный ток коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы

h21э, - статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером

h*21Э - статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме большого сигнала для схем с общим эмиттером

Ск - емкость коллекторного перехода

rКЭнас - сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером

r*БЭнас - сопротивление насыщения между базой и эмиттером

Кш - коэффициент шума транзистора

r*б - сопротивление базы

P**вых - выходная мощность транзистора

τК - постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

t*рас - время рассасывания

t**выкл- время выключения