FQP19N20C транзистор MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 139W

Артикул FQP19N20C
Производитель Fairchild Semiconductor
32 ₴
Характеристики
Артикул FQP19N20C
Материал корпуса Пластик
Тип транзистора Полевой
Корпус транзистора: ТО220
Максимальная мощность рассеивания 110 Вт
Максимально допустимый ток стока 19 А
MOSFET N-CH 200V 19A
Максимально допустимое напряжение сток-исток 200 В
Производитель Fairchild Semiconductor

FQP19N20C 200V N-Channel Advance Q-FET C-Series

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта








Производитель :
Fairchild Semiconductor











Категория продукта :
МОП-транзистор











Соответствует :












Полярность транзистора :
N-канал











Сток-исток Напряжение пробоя :
200 В











Затвор-исток Напряжение пробоя :
+ / ― 30 В











Непрерывный ток стока :
19











Сток-исток Сопротивление :
170 мОм











Конфигурация :
Один











Максимальная рабочая температура :
+ 150 C











Монтажа :
Сквозное отверстие











Упаковка / блок :
К-220AB











Упаковка :
Трубка











Время спада :
115 нс











Крутизна в прямом направлении ― Мин :
10.8 S











Минимальная рабочая температура :
- 55 C











Рассеиваемая мощность :
139 Вт











Время нарастания :
150 нс











Серия :












:
50











Типичный задержки выключения Время :
135 нс











Другие названия товара № :
FQP19N20C_NL




















Features

• 19.0A, 200V, RDS(on) = 0.17Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 40.5 nC)

• Low Crss ( typical 85 pF)

• Fast switching

• 100% avalanche tested

• Improved dv/dt capability


+38 (067) 979 41 03Viber WhatsApp Telegram

Мы в социальных сетях:

Время работы:

ПН-СБ 10:00-20:00, ВС 10:00-18:00

Наш адрес

Украина, Киев, ул. Ушинского, 4. Рынок "Радиолюбитель". Торговые места: 594-598.

ФОП Сохань © -

Платите с помощью карты

Работает на Shop-Express

Избранное