4N35 Транзисторні вихідні оптопари (Phototransistor Out)

Артикул 4N35
Производитель Vishay Intertechnology
13 ₴
Характеристики
Артикул 4N35
Исполнение микросхемы Полупроводниковое
Тип корпуса DIP
Тип монтажа Под пайку
Тип микросхемы Оптрон
Материал корпуса Пластик
Техническое описание скачать PDF в спецификации
Производитель: Vishay Semiconductors
Производитель Vishay Intertechnology

Тип: Оптопара

4N35 Транзисторные выходные оптопары (Phototransistor Out)

Корпус: DIP-6


Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта







Производитель:
Vishay











Категория продукта:
Транзисторные выходные оптопары











RoHS:












Торговая марка:
Vishay Semiconductors











Конфигурация:
1 Channel











Тип входа:
DC











Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
30 V











Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
0.3 V











Напряжение изоляции:
5000 Vrms











Коэффициент передачи по току:
50 %











Максимальное прямое напряжение диода:
1.5 V











Максимальный входной ток диода:
60 mA











Максимальный коллекторный ток:
100 mA











Максимальное рассеяние мощности:
70 mW











Максимальная рабочая температура:
+ 100 C











Минимальная рабочая температура:
- 55 C











Упаковка / блок:
PDIP-6











Упаковка:
Tube











Ток в прямом направлении:
60 mA











Максимальное обратное напряжение диода:
6 V











Количество каналов на чип:
1 Channel











Устройство вывода:
NPN Phototransistor











Тип выхода:
DC











:
3000







+38 (067) 979 41 03Viber WhatsApp Telegram

Мы в социальных сетях:

Время работы:

ПН-СБ 10:00-20:00, ВС 10:00-18:00

Наш адрес

Украина, Киев, ул. Ушинского, 4. Рынок "Радиолюбитель". Торговые места: 594-598.

ФОП Сохань © -

Платите с помощью карты

Работает на Shop-Express

Избранное