2Т837А (5-те приемка) транзистор PNP (8А 70В) (h21Э =15…120) 30W (ТО-220)

2Т837А ( 5-я приемка) транзистор PNP (8А 70В) (h21Э =15…120) 30W (ТО-220)

2Т837А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.

Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Корпус пластмассовый с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 2,5 г.

Тип корпуса: КТ-28-2.

Технические условия: аА0.339.411 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т837А:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 120;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,8 Ом

Технические характеристики транзисторов 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max

(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max

(РК. Т. max)
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
IЭБО
IКЭR
f гp.
СК
СЭ


А
А
В
В
В
Вт

В
мА
мА
мА
МГц
пФ
пФ
°С
°С


2Т837А
p-n-p
8
-
70
80
15
1 (30)
15…120
0,9
<0,15
<0,3
<5
>3
-
-
125
-60…+100


2Т837Б
p-n-p
8
-
55
60
15
1 (30)
30…150
0,9
<0,15
<0,3
<5
>3
-
-
125
-60…+100


2Т837В
p-n-p
8
-
40
45
15
1 (30)
40…180
0,9
<0,15
<0,3
<5
>3
-
-
125
-60…+100


2Т837Г
p-n-p
8
-
70
80
5
1 (30)
15…120
0,9
<0,15
<0,3
<5
>3
-
-
125
-60…+100


2Т837Д
p-n-p
8
-
55
60
5
1 (30)
30…150
0,9
<0,15
<0,3
<5
>3
-
-
125
-60…+100


2Т837Е
p-n-p
8
-
40
45
5
1 (30)
40…180
0,9
<0,15
<0,3
<5
>3
-
-
125
-60…+100

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.

• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.