2Т826А транзистор кремнієвий NPN (1А 700В) 15W (військове приймання за якістю)

2Т826А транзистор кремнієвий NPN (1 А 700 В) 15W

2Т826А

Транзистори кремнієві мезапланарні структури n-p-n перемикачні.

Призначені для застосування в перемикальних пристроях, у перетворювачах постійної напруги, високовольтних стабілізаторах.

Транзистори 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В випускаються в металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими виведеннями.

Тип приладу вказується на корпусі.

Транзистор 2Т826А-5 випускається як кристали нерозділених із контактними майданчиками на пластині для гібридних інтегральних мікросхем.

Тип приладу вказується в етикетці.

Маса транзизора в металевому корпусі не більш ніж 20 г, кристала не більш ніж 0,01 г.

Тип корпусу: КТ-9 (ТО-3).

Технічні умови: АА0.339.058 ТУ.

Основні технічні характеристики транзизора 2Т826А:

• Структура транзизора: n-p-n;

• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 15 Вт;

• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 6 МГц;

• UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого опору в ланцюзі база-емітер: 700 В (0,01кОм);

• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 5 В;

• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 1 А;

• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: 10... 120;

• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 25 ПФ;

• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 5 Ом

Технічні характеристики транзисторів 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, 2Т826А-5:

Тип

транзистори
Структура
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C
Значення параметрів під час Тп = 25 °C
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЕR max

(UКЕ0 max)
UКБ0 max
UЕБ0 max
РК max

(РК. Т. max)
h21Э
UКЕ

нас.
IКБО
IЕБО
f гp.
КШ
ЗК
ЗЕ


А
А
В
В
В
Вт

В
мА
мА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


2Т826А
n-p-n
1
1
700
-
-
15
10…120
<2,5
-
<3
>6
-
<25
<250
150
-60...+125


2Т826Б
n-p-n
1
1
700
-
-
15
10…120
<2,5
-
<3
>6
-
<25
<250
150
-60...+125


2Т826В
n-p-n
1
1
700
-
-
15
10…120
<2,5
-
<3
>6
-
<25
<250
150
-60...+125


2Т826А-5
n-p-n
1
1
700
-
-
15
10…120
<2,5
-
<3
>6
-
<25
<250
150
-60...+125

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:

• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.

• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.

• UКЕR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.

• UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівною нулю.

• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.

• UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.

• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора.

• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.

• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.

• UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.

• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.

• IЕБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.

• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.

• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.

• ЗК - ємність колекторного переходу.

• ЗЕ - ємність колекторного переходу.

• ТП max — максимально допустима температура переходу.

• Т max — максимально допустима температура довкілля.