2Т363Б транзистор кремнієвий PNP 1.5 ГГц (50mА 15В) (h21э: 40-120) 150mW Au (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта

2Т363Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.

Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.

Транзисторы КТ363А, КТ363Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора в не более 0,5 г,

Тип корпуса: КТ-1-7.

Технические условия: ЩТ0.336.014 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ363Б:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;

• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 1200 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...70;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 35 Ом

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 50 пс

Технические характеристики транзисторов КТ363А, КТ363Б:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max

(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
f гp.
КШ
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мкА
ГГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


КТ(2Т)363А
p-n-p
30
50
15
15
4
150
20...70
0,35
0,5
>1,5
-
2
2
150
-40…+85


КТ(2Т)363Б
p-n-p
30
50
12
15
4
150
40...120
0,35
0,5
>1,5
-
2
2
150
-40…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.