2Т325А транзистор NPN (h21э 30...90) (1000 МГц) кремниевые усилительные с ненормир коэфф. шума

2Т325А

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта

2Т325А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума.

Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип приборов 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1,2 г.

Тип корпуса: КТ-2-3.

Технические условия: СБ0.336.023 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т325Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 70... 120;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс

Технические характеристики транзисторов 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21э
UКЭ

нас.
IКБО
f гp.
КШ
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


2Т325А
n-p-n
60
60
15
15
4
225
30...90
-
0,5
800
-
2,5
2,5
150
-60…+125


2Т325Б
n-p-n
60
60
15
15
4
225
70...210
-
0,5
800
-
2,5
2,5
150
-60…+125


2Т325В
n-p-n
60
60
15
15
4
225
160...400
-
0,5
1000
-
2,5
2,5
150
-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.