2Т312В Au транзистор NPN (IК. И.max=60мА; UКБ0 max=30В) (h21э: 50-250) 0,25W
2Т312В
Транзистори 2Т312В кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах.
Використовуються для роботи у електронній апаратурі спеціального призначення.
Випускаються у металостеклянному корпусі з гнучкими висновками.
Маркуються цифро-літерним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзистора трохи більше 1,0 р.
Тип корпусу КТЮ-3-1.
Кліматичне виконання: «УХЛ».
Категорія якості: "ВП", "ОС".
Технічні умови:
- приймання «ВП» ЖК3.365.143ТУ;
- приймання «ОС» ЖК3.365.143ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубіжний аналог: 2N3708.
Гарантійний термін зберігання транзисторів - 25 років з дати приймання, а у разі повторної перевірки виробу - з дати повторної перевірки.
Гарантійне напрацювання:
- 80000 годин – у всіх режимах, що допускаються ТУ;
- 100000 годин – у полегшеному режимі.
Гарантійне напрацювання обчислюється в межах гарантійного терміну зберігання.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т312В:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 225 мВт;
• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 120 МГц;
• Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 30 В;
• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В;
• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА;
h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 50...250;
• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 5 пФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 40 Ом;
• tк - Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 500 пс
Технические характеристики транзисторов 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В:
Тип
транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
(РК. И. max)
h21Э,
(h21э)
UКЭ
нас.
IКБО
f гp.
(f h21)
КШ
СК
СЭ
мА
мА
В
В
В
мВт
В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С
2Т312А
n-p-n
30
60
30
30
4
225
12…100
0,5
1
80
-
5
20
150
-60…+125
2Т312Б
n-p-n
30
60
30
30
4
225
25…100
0,5
1
120
-
5
20
150
-60…+125
2Т312В
n-p-n
30
60
30
30
4
225
50…250
0,35
1
120
-
5
20
150
-60…+125
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.