2Т306Б (Au) транзистор кремнієві епітаксійних-планарні структури NPN (50мА 15В) (h21е = 40-200) (КТЮ-3-1)

Зображення слугують тільки для ознайомлення

Див. специфікації продукту

2Т306Б

Транзистори 2Т306Б кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n перемикачні та посилені з ненормованим коефіцієнтом шуму.

Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти 2T306В, 2Т306Г і перемикальних пристроях 2T306А, 2Т306Б.

Використовуються для роботи в електронній апаратури спеціального призначення.

Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями.

Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора.

Маса транзизора не більш ніж 0,65 г.

Тип корпусу: КТЮ-3-1.

Кліматичне виготовлення: «УХЛ».

Категорія якості: «ВП».

Технічні умови:

- приймання «5» — СБ0.336.015ТУ.

Гарантійний термін зберігання — не менш ніж 25 років із моменту виготовлення.

Зарубісний аналог: ST6130.

Основні технічні характеристики транзизора 2Т306Б:

• Структура транзизора: n-p-n

• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 150 мВт;

• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 500 МГц;

• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 15 В;

• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 4 В;

• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА;

• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 0,5 мкА;

• h21Е — Статичний коефіцієнт передавання струму для схеми із загальним імітером у режимі великого сигналу: 40...120;

• Ск — Місткість колекторного переходу: не більш ніж 5 ПФ;

• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 30 Ом

Технічні характеристики транзисторів 2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г:

Тип

транзизора
Структура
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C
Значення параметрів за Тп = 25 °C
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21э
UКЭ

нас.
IКБО
f гp.
КШ
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


2Т306А
n-p-n
30
50
10
15
4
150
20...60
0,3
0,5
300
8
5
4,5
150
-60...+125


2Т306Б
n-p-n
30
50
10
15
4
150
40…120
0,3
0,5
500
8
5
4,5
150
-60...+125


2Т306В
n-p-n
30
50
10
15
4
150
20…100
0,3
0,5
300
8
5
4,5
150
-60...+125


2Т306Г
n-p-n
30
50
10
15
4
150
40…200
0,3
0,5
500
8
5
4,5
150
-60...+125

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:

• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.

• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.

• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.

• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.

• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.

• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.

• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.

• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.

• h21Э — коефіцієнт передавання струму біполярного транзизора в режимі малого сигналу в схемі із загальним евітером.

• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.

• IКБО - зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.

• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.

• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.

• СК - ємність колекторного переходу.

• СЭ - ємність колекторного переходу.

• ТП max - максимально допустима температура переходу.

• Т max — максимально допустима температура довкілля.