2П302А (Au) кремнієві планарні польові з затвором на основі p-n переходу і каналом n-типу

2П302А кремнієві планові польові з затвором на основі p-n переходу та каналом n-типу (300 mW 30В) Au

2П302А

Транзистори 2П302А кремнієві планові польові з закривом на основі p-n переходу й каналом n-типу.

Призначені для застосування в широкосмугових підсилювачах у діапазоні частот до 150 МГц, а також у перемикальних і комутувальних пристроях та інших схемах апаратури спеціального призначення.

Використовуються в електронній апаратурі спеціального призначення.

Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями.

Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора.

Тип корпусу: КТ-2-14.

Маса транзизора не більш ніж 1,5 г.

Кліматичне виготовлення: «УХЛ».

Категорія якості: «ВП».

Технічні умови:

- приймання «5» — РК3.365.204ТУ.

Зарубісний аналог: UC714, 2N3791, SMP6451, TMPF6451, TP6451.

Гарантійний термін зберігання — 25 років із дати приймання, а в разі переперевірки виробу — з дати переперевірки.

Гарантійне напрацювання:

- 80 000 годин — у режимах та умовах, що допускаються ТУ;

— 100 000 годин — у полегшеному режимі.

Гарантійне напрацювання обчислюється в межах гарантійного терміну зберігання.

Основні технічні характеристики транзизора 2П302А:

• Структура транзизора: з p-n-переходом і n-каналом;

• Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 300 мВт;

• Uзи відс — Напруга відсікання транзистори — напруга між закривом і джерелам: не більш ніж 5 В;

• Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 20 В;

• Uзі max — Максимальна напруга затвор-висток: 10 В;

• Iс — Строк (постійний): 24 мА;

• Iс нач — Початковий струм стоку: 3...24 мА;

• Iс ост — залишковий струм стоку: 6 мА;

• S - Крутизна характеристики: 5... 12 мА/В;

• С11и — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 20 ПФ;

• С12і — Місткість зворотного зв'язку у схемі із загальним джерелам у разі короткого замикання на вході змінним струмом: не більш ніж 8 ПФ;

• Кш — Коефіцієнт шуму транзистори: не більш ніж 3 дБ на частоті 1 кГц;

• tвмик — Час увімкнення транзизора: не більш ніж 4 нс;

• tвимк — Час вимкнення транзизора: не більш ніж 5 нс;

Характеристики польових транзисторів із закривом на основі p-n переходу й каналом n-типу

2П302А, 2П302Б, 2П302В, 2П302А1, 2П302Б1, 2П302В1:

Тип

польового транзизора
Р МАКС
f МАКС
Граничні значення параметрів за Т = 25 °C
Значення параметрів за Т = 25 °C
Т ОКР


UСІ МАКС
UЗС МАКС
UЗІ МАКС
IС МАКС
UЗИ ВІДС
g22И
IЗ УТ
S
IС НАЧ
C11И
C12И
КШ


мВт
МГц
В
В
В
мА
В
мКСм
нА
мА/В
мА
пФ
пФ
дБ
°С


2П302А
300
150
20
20
10
24
<5
-
<10
>5
3…24
<20
<8
<2,75
-60...+125


2П302Б
300
150
20
20
10
43
<7
-
<10
>7
18…43
<20
<8
-
-60...+125


2П302В
300
150
20
20
12
-
<10
-
<10
-
>33
<20
<8
-
-60...+125


2П302А1
300
150
20
20
10
24
<5
-
<10
>5
3…24
<20
<8
-
-60...+125


2П302Б1
300
150
20
20
10
43
<7
-
<10
>7
18…43
<20
<8
-
-60...+125


2П302В1
300
150
20
20
12
-
<10
-
<10
-
>33
<20
<8
-
-60...+125

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:

• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.

• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.

• UСІ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.

• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.

• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.

• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.

• UЗИ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.

• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистори в схемі із загальним споконвом.

• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.

• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.

• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.

• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.

• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком за короткого замикання за змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.

• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.

• Т ОКР - температура довкілля.