2N2857 (Motorola) аналог 2Т399А транзистор PNP 400 МГц (0,4А 15В) (h21э: 170-200) 3W Au (ТО18)

2N2857 (2Т399А) транзистор PNP 400 МГц (0,4А 15В) (h21э: 40-170) 3W Au (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта

КТ399А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.

Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.

Транзисторы 2Т399А, КТ399А выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Тип корпуса: КТ-1-12.

Технические условия: аА0.336.257 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ399А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц;

• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 15 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,7 пФ;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 400 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс

Технические характеристики транзисторов 2Т399А, КТ399А:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max

(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
IЭБО
f гp.
КШ
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мкА
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


2Т399А
n-p-n
20
40
15
15
3
150
40…170
-
0,5
1
>1800
2
1,7
3
150
-60…+125


КТ399А
n-p-n
20
40
15
15
3
150
40…170
-
0,5
1
>1800
2
1,7
3
150
-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.