1Т313В германієвий транзистор PNP структури диффузійно-сплавні універсальний

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта

1Т313В

Транзистори 1Т313В германієві дифузійно-сплавні структури p-n-p універсальні.

Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот та перемикаючих пристроїв.

Використовуються для роботи у електронній апаратурі спеціального призначення.

Випускаються у металостеклянному корпусі з гнучкими висновками.

Маркування нанесене цифро-літерним кодом на корпусі транзистора.

Маса транзистора трохи більше 2,0 р.

Кліматичне виконання: "УХЛ", "В".

Категорія якості: "ВП", "ОС".

Технічні умови: ЖК3.365.161ТУ.

Основні технічні характеристики транзистора 1Т313В:

• Структура: p-n-p

• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 100 мВт;

• Fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 350 МГц;

• Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 12 В;

• Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 0,7 В;

• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА;

• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА при 12В;

• h21е - Коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 30...230 при 5В; 5мА;

• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 2,5 пФ при 5В;

• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 4,6 Ом;

• tк - Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 75 пс

Технические характеристики транзисторов 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max

(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
f гp.
КШ
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


1Т313А
p-n-p
50
-
12
12
0,7
100
10...230
0,7
5
300...1000
8
2,5
18
85
-60…+70


1Т313Б
p-n-p
50
-
12
12
0,7
100
10...75
0,7
5
450...1000
8
2,5
14
85
-60…+70


1Т313В
p-n-p
50
-
12
12
0,7
100
30...230
0,7
5
350...1000
8
2,5
14
85
-60…+70

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.